晶圆加热模组（定制）在半导体制程过程中非常重要，特别是在一些关键工艺中，如晶圆退火、键合、匀胶、刻蚀、气相沉积等，它可以提供稳定的温场环境及精密的盘面均匀温度，确保晶圆在各种温区中的加热要求，从而实现半导体器件的制造和研发。

快速退火炉RTP600专为半导体高温处理设计，支持500℃~1000℃范围内的氧化/扩散/快速退火工艺，采用双层21×1kW高功率灯管，实现150℃/s极速升温控制，通过水冷铝质外壳、石英内腔确保温度均匀性，兼容2~6英寸晶圆片，结合精密气体控制提供高效解决方案。